Kōji Itō 研究室

主宰者：Kōji Itō
京都大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、炭化ケイ素（SiC）を用いた高電圧電力デバイスおよび高温集積回路の性能向上に関する研究に取り組んでいます。特に、SiC金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）における電子の移動度を制限する要因を詳細に調査しており、界面近傍に局在する電子によるクーロン散乱が主要な課題であることを明らかにしています。酸化膜の形成方法や後処理条件（窒素雰囲気下での焼成、二酸化炭素での焼成など）を最適化することで、移動度の向上と閾値電圧の安定性向上を実現する研究を進めています。 このアプローチでは、理論計算と実験測定を組み合わせることで、異なる結晶面や異なるドーピング濃度を持つMOSFETの特性を予測・理解しています。また、微視的な散乱機構（界面欠陥、表面粗さなど）が巨視的なデバイス特性に及ぼす影響を定量的に評価する物理ベースのモデルを構築することで、デバイス設計の指針となる知見を提供しています。これらの研究成果は、次世代の高性能電力用半導体デバイスの実現に向けた材料・プロセス開発の基礎を形成しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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