Masaharu Kobayashi 研究室

主宰者：Masaharu Kobayashi
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、次世代集積回路に向けた半導体トランジスタの開発と特性評価に取り組んでいます。特に、酸化インジウムなどの酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタと、シリコン量子ドット素子の研究に力を入れており、原子層堆積法を用いた材料製造プロセスの開発から、デバイス性能の実験的検証まで一貫した研究を展開しています。 酸化物半導体トランジスタに関しては、金属元素の組成や膜厚の最適化、熱安定性の向上、バイアス印加下での信頼性評価を系統的に進めています。特に、微細化構造への対応や立体集積技術への応用を視野に、移動度・閾値電圧・信頼性の間のトレードオフ関係を理解し、その克服方法を探索しています。また、極低温環境下でのシリコンCMOSトランジスタの変動特性や雑音現象に関する研究も並行して実施しており、量子コンピュータなど新規応用への対応も検討しています。さらに、立体積層量子ドット素子の実現やフェロエレクトリック・メモリデバイスの動作観察など、多様な先端デバイス技術の開発も進めています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

外部リンク

関連研究室(8 件)

研究成果（100 件）

続きを表示（残り 90 件）

科研費（0 件）

まだデータがありません（KAKEN 取り込み後に表示）。

所属学会・役職（0 件）

まだデータがありません（学会データ連携後に表示）。