K. Takami 研究室

**研究の問い** 本研究室は、半導体メモリの信頼性低下をもたらす宇宙線や自然放射線の影響を明らかにすることを目標としています。具体的には、最新の微細化技術で製造された静的ランダムアクセスメモリ（SRAM）において、プロトン・ミューオン・中性子などの放射線が誤った情報を記録させる現象（単一ビット反転やその拡大版である複数ビット反転）を定量的に評価しています。 **手法** 実験では、様々なエネルギーの放射線を実際のメモリデバイスに照射し、引き起こされる記憶エラーの発生確率を測定しています。また新たな計測方法を開発し、従来の静的測定では見落とされていた離れた場所への多ビット反転を正確に捉えています。さらに、シミュレーション計算により実験結果の解釈を進め、微細化と放射線感度の関係を理論的に理解しようとしています。 **主要な発見** 高い放射線エネルギーほどメモリエラーが増加する傾向が観察されており、特に微細化された最新デバイスでは低エネルギー放射線の影響が相対的に増すことが明らかになりました。また、同じ放射線でも正負の荷電状態によって感度が大きく異なることが判明し、メモリの信頼性評価にはこうした複数の放射線源を考慮する必要があります。