Fupeng Huo 研究室

主宰者Fupeng Huo
大阪大学

AI 要約(直近 5 年の研究成果)

本研究室は、半導体パッケージング材料とそれらの接合・信頼性に関する研究を展開しています。特にシリコンカーバイド(SiC)などの次世代高出力半導体デバイスの実装に必要とされる、ダイアタッチ(チップと基板の接合)および基板間の接合材料の開発に取り組んでいます。銀やアルミニウムといった金属粉末を用いたペースト状の材料を、低温で焼結(加熱して粒子同士を融合させる)させることで、従来の鉛はんだに代わる高温対応・高信頼性の接合技術を実現しています。 研究の手法は、材料の配合設計と焼結プロセスの最適化を軸としており、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡による微視構造の分析、機械的強度の測定、長期信頼性試験(熱衝撃、熱サイクル、電流ストレス試験など)を組み合わせています。酸化防止機構や熱膨張係数の制御、微視的な界面形成メカニズムの解明も進めています。 主要な成果として、空気中での低温酸化対応銅焼結接合、複合粉末(銀とアルミニウムの混合)による熱膨張ミスマッチの軽減、極細ピッチ配線接合など、複数の実装課題に対応した接合材料と技術が報告されています。これらの研究成果は、急速に拡大する電力変換器や電気自動車などの高温・高出力応用に向けた実装技術の進展に貢献しています。

※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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