Heiji Watanabe 研究室

主宰者：Heiji Watanabe
大阪大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

渡辺研究室は、半導体デバイスの性能と信頼性を左右する界面欠陥の物理を探究しています。特に、炭化ケイ素（SiC）やガリウム窒化物（GaN）、ガリウム酸化物（Ga₂O₃）といった化合物半導体と酸化膜の界面に生成する電気的欠陥（電子トラップ、ホールトラップなど）に注目し、その生成メカニズムや電子状態を詳細に調べることで、デバイスの高性能化に向けた知見を蓄積しています。 研究では、静電容量測定や電子スピン共鳴などの電気的・分光学的手法によって界面欠陥を評価し、熱処理条件や膜厚制御といったプロセス因子との関係を明らかにしています。また、界面に形成される超薄い酸化層や金属との反応が欠陥発生にどう影響するかを調べ、加熱処理時のガス雰囲気（水素、酸素、窒素、一酸化窒素など）が欠陥を軽減する仕組みを解析しています。 これらの知見は、次世代の電力用パワーセミコンダクタやフォトニクスデバイスの実用化に直結する基礎研究です。界面品質の向上を通じて、電流ムラや劣化の抑制が可能になり、実際に電気自動車に搭載されるSiCデバイスの性能・信頼性向上に貢献しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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