Tetsuya Suemitsu 研究室

主宰者：Tetsuya Suemitsu
東北大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

当研究室では、高周波デバイスと光・テラヘルツ波デバイスを中心に研究を行っています。主な対象は、窒化ガリウムなどの窒化物半導体、グラフェンなどの二次元物質、およびこれらを用いた高電子移動度トランジスタ（HEMT）です。研究の中核は、これらの材料や素子の物理現象の解明と、次世代通信に向けたデバイス開発にあります。 材料・界面に関しては、窒化物半導体に固有の分極電荷が電子濃度や電圧特性に与える影響を調べ、バンド構造や接触特性を理論・実験で明らかにしています。また、結晶面の向き（極性）がデバイス特性に及ぼす役割についても研究しており、異種材料の張り合わせや表面処理を通じた新しいデバイス構造の開発も進めています。 デバイス応用面では、テラヘルツ波検出器の実現に注力しており、非対称な回折格子構造を持つHEMTやグラフェネチャネルFETを設計・製作して、室温での高速・高感度な検出を実証しています。さらに光信号を無線周波数に変換するフォトニックデバイスの開発も推進しており、光ファイバーと無線ネットワークの融合を目指した次世代通信システムへの応用を探索しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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