Daisuke Ohori 研究室
主宰者:Daisuke Ohori
東北大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、半導体デバイスの製造プロセスにおける微細加工技術と材料物性の制御に関する研究を展開しています。特に、ニュートラルビーム加工という低ダメージの微細加工手法を活用し、マイクロLEDなどの次世代デバイスで課題となる加工時の欠陥低減に取り組んでいます。異なるエッチングガスの化学反応性を制御することで、高い加工精度と処理速度の両立を実現し、デバイスの発光効率向上を目指しています。
同時に、ナノピラー構造など微細な材料設計を通じて、半導体内での熱と電子の輸送現象を制御する研究も進めています。シリコンにナノピラーを導入することで、熱伝導率を大幅に低下させながら電子輸送性能を維持する複合膜の開発に成功しており、高温による性能低下が課題であるMOSFETなどの次世代電子デバイスへの応用を検討しています。
さらに、原子層堆積やX線分析などの高精度な薄膜形成・評価技術、および分子動力学シミュレーションを活用して、界面反応の詳細な理解と材料の最適化を進めています。これらの手法により、微細化に伴う新たな物理現象の解明と、それを活用したデバイス性能の向上に貢献する基礎研究を実施しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(33 件)
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- DOI: https://doi.org/10.3390/appliedphys2030007
- DOI: https://doi.org/10.1116/6.0005453
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2025-02361747mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.34481/0002001941
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.h-3-02
- DOI: https://doi.org/10.1149/11402.0363ecst
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2024-02322370mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.3390/nano14010095
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-023-43472-z
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- DOI: https://doi.org/10.3390/en16196900
- [2023] Hydrogen iodide (HI) neutral beam etching characteristics of InGaN and GaN for micro-LED fabricationDOI: https://doi.org/10.1088/1361-6528/acd856
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0146578
- DOI: https://doi.org/10.1109/ojnano.2023.3306011
- DOI: https://doi.org/10.1039/d2nr06266f
- DOI: https://doi.org/10.1109/nano54668.2022.9928699
- DOI: https://doi.org/10.1116/6.0001607
- DOI: https://doi.org/10.1109/nano51122.2021.9514289
- DOI: https://doi.org/10.1109/nano51122.2021.9514287
- DOI: https://doi.org/10.1116/6.0000867
- DOI: https://doi.org/10.1116/6.0000770
- DOI: https://doi.org/10.1109/ojnano.2021.3055150
- DOI: https://doi.org/10.1109/ojnano.2021.3131165
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