Thi‐Thuy‐Nga Nguyen 研究室

主宰者：Thi‐Thuy‐Nga Nguyen
名古屋大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、半導体デバイス製造における微細加工プロセスの精密制御を実現するため、プラズマを用いた材料の除去および表面改質に関する研究を行っています。対象とする材料は、シリコン・シリコン化合物から金属窒化物、金属炭化物、白金、グラフェンなど多岐にわたります。特に微細な溝構造（高アスペクト比構造）の加工では、サイドウォールと底部の異なる除去速度を制御する必要があり、これが研究の中心課題となっています。 研究の手法としては、プラズマ中で段階的に異なるガスを導入する周期的なプロセスを採用しています。各段階では、プラズマ内で生成されるラジカル（活性な分子断片）とイオンが材料表面と反応し、酸化物や中間生成物を形成します。その後、別のガスや加熱によってこれらの層を選択的に除去し、原子スケールでの精密な加工を実現します。プロセスの動作中、質量分析法や光学分光法、表面分析などの計測を行い、ガス相反応と表面反応の時間的変化を追跡しています。 主な発見として、材料の除去選択性（目的の材料のみを選択的に除去する能力）が、プラズマ内のガス組成、ラジカルとイオンの輸送、および表面温度に大きく依存することが明らかになっています。これらの要因を制御することで、不要な副反応を抑制し、原子層単位での精密な除去を達成できます。こうした基盤研究を通じて、次世代半導体デバイスの製造技術開発に貢献しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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