Keita Sakamoto 研究室
主宰者:Keita Sakamoto
九州大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、放射線が半導体メモリに与える影響と、医学応用に向けた核磁気共鳴技術の二つの重要なテーマに取り組んでいます。
前者の研究では、宇宙放射線や自然放射線によって引き起こされる半導体素子のエラー(ソフトエラー)を対象としています。特に最先端の微細加工技術で製造されたメモリ素子(FinFET型SRAM)を用いて、陽子線や重イオン照射時のエラー発生メカニズムを実験と数値シミュレーションで解明しています。加える電圧やエネルギー条件を変えながら、複数のメモリセルに同時にエラーが生じる現象やその発生確率の予測モデルを開発することで、より信頼性の高い電子機器の設計に貢献しています。
後者は、医療用イメージング技術の感度向上を目指した基礎研究です。特殊な有機分子(フラーレン誘導体やペンタセン系化合物)の分子設計を通じて、動的核偏極という手法による磁気共鳴信号の増幅を実現しています。従来は単結晶を厳密に配向させる必要がある制限を、化学的な分子改質によって克服し、医学応用に向けた実用化を進めています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(10 件)
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-66211-y
- DOI: https://doi.org/10.1109/tns.2025.3568455
- DOI: https://doi.org/10.1109/tns.2025.3544154
- DOI: https://doi.org/10.1073/pnas.2307926120
- DOI: https://doi.org/10.1109/radecs59069.2023.10767022
- DOI: https://doi.org/10.1109/tns.2023.3295340
- DOI: https://doi.org/10.1039/d3sc04123a
- DOI: https://doi.org/10.1109/tns.2022.3188993
- DOI: https://doi.org/10.1109/tns.2021.3129185
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