Hans Jürgen Mattausch 研究室

主宰者：Hans Jürgen Mattausch
広島大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

この研究室は、半導体デバイス、特にトランジスタの動作を正確に予測・設計するための数学モデル開発に従事しています。高電圧で動作する様々な種類のトランジスタ（MOSFETと呼ばれる素子）の内部物理現象を理論的に理解し、それを式として表現することで、エンジニアが実際の回路設計を効率的に行えるようにする研究を行っています。 具体的には、電源回路やパワー変換装置に用いられる高電圧トランジスタに着目し、デバイス内部の電荷分布や電位変化を詳細に解析しています。複雑な構造を持つトランジスタについても、内部ノードという補助的な計算要素を導入することで、柔軟にモデルを拡張できるアプローチを開発しています。さらに、これらのモデルを利用して回路全体の消費電力を最適化する方法も検討しており、シミュレーションを通じた設計改善の有効性を実証しています。 一方、ロボット工学の分野では、二足歩行ロボットが足裏に取り付けたセンサーから床面の種類をリアルタイムで識別する技術を開発しています。機械学習手法を用いて歩行パターンから床材料を判定することで、ロボットが安全で効率的に環境を移動できるようにすることが目標です。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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