Akihiro Nishida 研究室

主宰者：Akihiro Nishida
北海道大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

西田研究室では、半導体デバイスの製造に不可欠な薄膜成膜技術に関する研究を展開しています。原子層成膜法という精密な化学気相成膜技術を用いて、銅、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどの各種金属酸化物・金属薄膜を低温で高品質に製造する方法を開発しています。特に、新規な有機金属化合物をALD前駆体として設計・合成し、その揮発性や熱安定性などの特性を評価することで、従来よりも低い温度での成膜を実現しています。 研究の中心課題は、より低温での成膜を可能にする高性能な前駆体の開発です。液体状態を保ちながら高い熱安定性を示す化合物の探索と、それを用いた成膜プロセスの最適化に取り組んでいます。これにより、電子デバイスの微細化や高性能化に向けて、表面粗さの低減や膜の均一性向上、高アスペクト比構造への被覆性向上といった課題を解決することを目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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