Kei Sumita 研究室
主宰者:Kei Sumita
東京大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、次世代の超小型半導体トランジスタにおいて高い電流駆動能力と動作速度を実現することを目指しています。具体的には、チャネル領域の膜厚を極めて薄くしたナノシート構造のトランジスタにおいて、表面の凹凸に起因する電子の散乱を理論・実験の両面から解明しています。どの結晶面の方向や材料(ゲルマニウム、ヒ化インジウムなど)を用いれば、薄くても高い電子移動度を保つことができるかを調査し、スケーリング限界を超える素子設計の指針を提供しています。
同時に、光通信・光演算向けの集積光回路の構築にも取り組んでいます。シリコンとIII-V半導体の複合構造を用いることで、高速な光の位相変調、低雑音な光検出、低損失な信号監視を小型かつ低消費電力で実現する技術を開発しています。特に、超薄膜の化合物半導体を用いることで、光が通りやすく同時に電気的に高い利得が得られる光電子素子を設計・製作しており、将来の大規模な光導波路集積回路の実用化を支えています。
超極低温環境での素子動作特性の評価も行っており、量子コンピュータなどの先端応用を見据えた基礎研究を展開しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(41 件)
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- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.n-6-01
- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm50572.2025.11353778
- DOI: https://doi.org/10.17023/nrvc-ry16
- [2024] (Invited) Mobility Enhancement Technology of Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator Channel MosfetsDOI: https://doi.org/10.1149/11402.0003ecst
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3434782
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.a-4-01
- DOI: https://doi.org/10.1109/jlt.2024.3392471
- [2024] (Invited) Mobility Enhancement Technology of Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator Channel MosfetsDOI: https://doi.org/10.1149/ma2024-02322290mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb1bd
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- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2023.3264814
- DOI: https://doi.org/10.1049/icp.2023.1839
- [2023] Hole Mobility Boosters of (110)-Oriented Extremely Thin Body SiGe-on- Insulator (SGOI) pMOSFETsDOI: https://doi.org/10.1109/ted.2023.3279306
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/acd6d6
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0150296
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb362
- DOI: https://doi.org/10.1364/iprsn.2023.im3a.1
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.g-1-01
- DOI: https://doi.org/10.1149/10904.0059ecst
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-022-35206-4
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2022.3214797
- [2022] Numerical Investigation of High-Speed Surface-Normal Modulator Using InP High-Contrast GratingDOI: https://doi.org/10.23919/islc52947.2022.9943427
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-02321180mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.g-1-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.g-1-02
- DOI: https://doi.org/10.23919/oecc/psc53152.2022.9850177
- DOI: https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830204
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw56633.2022.9889013
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- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3085981
- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720715
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2021.3130221
- DOI: https://doi.org/10.1364/ome.444071
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0057182
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420870
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