Hiroshi Fujioka 研究室

主宰者：Hiroshi Fujioka
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、窒化物半導体（GaN、AlN、AlGaNなど）の成長、物性、デバイス応用に関する研究を行っています。特に、パルススパッタリング法という低温成長技術を用いて、高品質な窒化物半導体薄膜の製造に取り組んでいます。この手法により、不純物ドープ濃度を高めてもよい結晶性を保ちながら、電気伝導性に優れた膜を実現できることが特徴です。 材料面では、重ドープGaNやAlGaNの電気的・光学的性質の制御と応用に注力しています。例えば、異なるドーパント（Si、Ge、Sn、Mgなど）を用いて、低抵抗率や最適な光学的バンドギャップを有する膜を開発し、発光ダイオードやトランジスタの電極材料として活用しています。また、欠陥が格子振動（フォノン）や熱伝導率に与える影響を、計算科学的手法を含めて理解する研究も進めています。 デバイス応用では、AlN/AlGaN系の高電子移動度トランジスタ（HEMT）の開発が中心です。耐圧性と低オン抵抗のバランスを取るため、異なるAl組成や層構造を設計・評価しており、電力変換や高周波デバイスへの利用を目指しています。さらに、パルススパッタリングで成長させた高導電性GaN層を電極として用いることで、低接触抵抗を実現するなど、材料成長とデバイス設計の統合的な研究を展開しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

外部リンク

関連研究室(8 件)

研究成果（60 件）

続きを表示（残り 50 件）

科研費（0 件）

まだデータがありません（KAKEN 取り込み後に表示）。

所属学会・役職（0 件）

まだデータがありません（学会データ連携後に表示）。