Takeshi Momose 研究室

主宰者：Takeshi Momose
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、先進半導体デバイスや特殊な材料構造の製造に必要な薄膜形成プロセスの科学的理解と最適化に取り組んでいます。主な研究対象は、原子層堆積（ALD）や化学気相成長（CVD）といった気相プロセスであり、これらの手法を用いてコバルト、シリコンカーバイド、窒化物系などの機能性薄膜を作製しています。 研究の中核は、膜形成の反応メカニズムを定量的に解明することです。気相中の素反応モデルの構築、表面での化学反応速度の測定、前駆体と反応ガスの供給条件の最適化などを通じて、プロセスの物理化学的な基礎を明らかにしています。特に、マイクロチャネルなどの高アスペクト比構造を用いた実験により、従来の手法では検出困難な微視的な反応パラメータを定量化しています。 さらに本研究室は、これらの知見を実デバイス製造に応用することを目指しています。次世代集積回路の配線層における拡散バリア膜の評価、セラミック基複合材料への均一膜形成、テラヘルツ波導波路用の金属膜コーティングなど、具体的な工学課題に対して、プロセス科学に基づいた解決策を提案しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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