Yukihiro Shimogaki 研究室

主宰者：Yukihiro Shimogaki
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、次世代の電子デバイス製造に向けた薄膜形成プロセスの開発と評価に取り組んでいます。具体的には、半導体集積回路の配線材料や絶縁膜、セラミック複合材料といった各種材料の製造に必要な化学気相成長法（CVD）や原子層堆積法（ALD）などの膜形成技術を対象としています。また、テラヘルツ波デバイスなど新しいアプリケーション向けの膜形成にも取り組んでいます。 研究の手法としては、気相反応の素反応モデル化と熱力学・反応速度論の計算解析が中核をなしています。マイクロ流路などの特殊な試料構造を用いた実験や、分析機器による膜特性評価を通じて、膜形成メカニズムを定量的に理解することを目指しています。さらに、量子化学計算により反応中間体の生成経路や安定性を予測し、実験結果との照合によりモデルを検証する統合的なアプローチを採用しています。 これらの研究から得られた主要な知見としては、膜形成速度や成膜特性が、化学種の濃度や基板への吸着確率に大きく左右されること、また膜厚や組成などの微細構造の制御が材料特性（特性障壁性や導電性など）に重要な影響を及ぼすことが明らかになっています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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