Pham Nam Hai 研究室
主宰者：Pham Nam Hai
東京大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、磁気メモリやセンサーなどの次世代スピントロニクスデバイスに向けて、電気的に磁性を制御・検出する新しい材料と技術の開発に取り組んでいます。特に、トポロジカル絶縁体やトポロジカル半金属といった特殊な電子構造を持つ物質に着目し、これらの材料が磁性層と接合したときに示す効率的なスピン流生成・変換現象を利用した応用を目指しています。
研究では、スパッタリングなどの薄膜形成技術を用いて、マグネシウムやタンタルなどの酸化物層や金属層を組み合わせた積層構造を設計・製造しています。これらの構造における磁気異方性の制御、スピン軌道トルクの効率向上、さらには高温環境での動作特性の維持といった課題に対して、層の厚さや組成、アニール温度などの詳細な最適化を行っています。同時に、強磁性半導体においても高いキュリー温度を実現する成長技術を開発し、室温で動作するスピン注入・検出デバイスの実現に貢献しています。
これらの材料開発と物性評価を通じて、従来の重金属よりも高いスピン変換効率を備えた次世代メモリやセンサーの実現に向けた基礎を構築しており、CMOS製造プロセスとの融合による実用化も視野に入れた研究を展開しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（54 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1149/1945-7111/ae00fa
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adcf68
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adca78
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0227990
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0253596
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0195671
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad1e98
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- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0184870
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0185917
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0165333
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.b-3-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.b-4-03
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0143287
- DOI: https://doi.org/10.1109/tmag.2023.3275171
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- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-022-22113-3
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/abed8f
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0074629
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-021-26478-3
- DOI: https://doi.org/10.15625/vap.2021.0006
- DOI: https://doi.org/10.1109/tmag.2021.3115169
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.i-5-03
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0062625
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