Mitsuaki Kaneko 研究室

主宰者：Mitsuaki Kaneko
京都大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、炭化ケイ素（SiC）という次世代半導体材料の物性と電子デバイス特性の解明を中心に研究を進めています。SiCは通常のシリコンよりも広いバンドギャップを持つため、高電圧・高温環境での電力変換デバイスや高周波デバイスへの応用が期待されています。研究室では、このSiCの結晶構造がもたらす異方性（方向による性質の違い）に注目し、電子や正孔の移動度、トンネル電流、接触抵抗など、デバイス動作に重要な物理特性を系統的に調査しています。 主な研究対象は、SiCトランジスタ（MOSFET、JFET）とショットキーダイオードといった基本的な半導体素子です。これらの素子について、イオン注入法による不純物導入、熱酸化による界面形成、金属電極の形成といった製造プロセスを実施し、その後の物理特性を深く分析しています。具体的には、深い準位と呼ばれるデフェクトの分布測定、界面状態の密度評価、キャリア移動度の温度依存性調査などを行い、これらが素子性能に及ぼす影響を明らかにしています。 これらの実験結果は、デバイスシミュレーションのための数値モデル構築にも活かされています。電子散乱機構の理解に基づいた物理モデルやSPICE互換のモデルを開発することで、SiC素子の高性能化と高温動作の実現に向けた設計指針の提供を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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