Masahiko Nishijima 研究室

主宰者：Masahiko Nishijima
大阪大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、電子デバイスの小型化・高性能化を支える材料と接合技術の開発に取り組んでいます。特に、次世代パワーエレクトロニクスに用いられるシリコンカーバイド（SiC）などの半導体チップと基板の接合方法、および高密度配線基板に欠かせないマイクロビア（微細な銅配線）の信頼性向上を主要なテーマとしています。 研究の手法として、電子顕微鏡（走査透過電子顕微鏡など）による原子レベルの構造観察、分析機器を用いた化学組成の定量分析、有限要素法（FEM）シミュレーションなど、多角的なアプローチを組み合わせています。また、銀（Ag）ペーストやシルバーナノポーラスシート、銀－シリコン複合材料など、新しい接合材料の開発も進めています。 主な発見として、接合インターフェースに形成される酸化物層が接合強度に重要な役割を果たすこと、電気めっき銅層内のナノボイド（微細な空孔）が熱サイクルテスト中に成長し、信頼性に悪影響をもたらすことが明らかになっています。これらの知見をもとに、低温プロセスで高強度の接合を実現する材料設計と、製造プロセスの最適化に向けた研究が展開されています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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