Shigefusa F. Chichibu 研究室
主宰者：Shigefusa F. Chichibu
東北大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室では、窒化ガリウム(GaN)や窒化アルミニウム(AlN)、六方晶窒化ホウ素(hBN)などの半導体材料における点欠陥（原子の欠落や置換）の性質と挙動を調べ、これらが材料の光学的・電気的特性に与える影響を解明する研究を行っています。特に、イオン注入やポーランド処理といった製造プロセスで導入される空孔型欠陥に着目し、その組成、濃度、電荷状態を定量的に評価しています。
主な実験手法として、陽電子ビームを用いた欠陥検出、時間分解発光スペクトロスコピー、陰極線発光分析などの複数の測定技術を組み合わせています。これらの手法により、欠陥が非発光性の再結合中心として機能し、材料の発光効率や寿命を低下させるメカニズムを明らかにしています。また、高温高圧アニール処理など各種熱処理条件下での欠陥の変化を追跡することで、欠陥の移動・消滅過程を理解しています。
これらの基礎的な知見は、紫外線LED、パワーデバイス、バルク単結晶成長など、実用的なデバイス開発と直結しています。特に深紫外発光材料の量子効率向上と長寿命化に向けて、欠陥制御の重要性を実証する研究成果を積み重ねており、次世代のワイドバンドギャップ半導体デバイスの高性能化に貢献しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（74 件）
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- DOI: https://doi.org/10.23919/iwjt66253.2025.11072893
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- DOI: https://doi.org/10.1117/12.3041549
- DOI: https://doi.org/10.1117/12.3044635
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0252149
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2025.3603203
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2025.128370
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.202500409
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ae09ee
- DOI: https://doi.org/10.1117/12.3000963
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.202400060
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-023-50502-9
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0201931
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0208853
- [2024] Low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) growth of large diameter nearly bowing-free GaN crystalsDOI: https://doi.org/10.1117/12.3001028
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac79a1
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0090431
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.202200183
- [2022] Low-pressure acidic ammonothermal growth of 2-inch-diameter nearly bowing-free bulk GaN crystalsDOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac67fc
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac62e4
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5d03
- DOI: https://doi.org/10.1117/12.2608459
- DOI: https://doi.org/10.2139/ssrn.4006063
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac46b1
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4392
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0066347
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-021-00102-2
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0051053
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0066263
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac2065
- DOI: https://doi.org/10.23919/iwjt52818.2021.9609493
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126190
- [2021] Electrical degradation and recovery of NiO/ZnO visible-light-transparent flexible solar cellsDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abff3c
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0042036
- [2021] Numerical Simulation of Ammonothermal Crystal Growth of GaN—Current State, Challenges, and ProspectsDOI: https://doi.org/10.3390/cryst11040356
- DOI: https://doi.org/10.3390/cryst11030254
- DOI: https://doi.org/10.1117/12.2575972
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