Rihito Kuroda 研究室

主宰者：Rihito Kuroda
東北大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

この研究室は、半導体デバイスの電気特性を高精度で測定・評価する技術と、それを支える微細構造の開発に取り組んでいます。具体的には、チップ上に数千から数万個のテスト素子を配列させ、各素子の静電容量や漏れ電流を同時に測定するプラットフォームを構築し、デバイス間のばらつきを統計的に評価しています。従来の単一素子測定では困難であった大量データの収集を可能にすることで、半導体製造プロセスの品質管理や新規デバイスの性能検証に貢献しています。 同時に、超微量な金属不純物がシリコン表面に与える影響や、薄膜形成プロセスにおけるガス挙動の可視化など、半導体製造における微視的な現象を調査しています。高速・高感度のイメージセンサを開発し、紫外～近赤外領域での光学計測を実現することで、プロセスチャンバー内のガス濃度分布をリアルタイムで観察し、原子層成長などの先端プロセスの最適化に必要な情報を提供しています。 さらに、微細で精密な静電容量検出や立体的な積層構造を有する高性能コンデンサの開発も進めており、これらの技術は3次元集積化を目指した次世代デバイスの実現へ向けて応用されています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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