Koji Shiozaki 研究室
主宰者:Koji Shiozaki
名古屋大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、電力変換と電動車両の高効率化を目指し、次世代半導体デバイスと電力回路の設計を融合させた研究を行っています。窒化ガリウム(GaN)などの広帯域ギャップ半導体は、従来のシリコン素子よりも低損失・高周波動作が可能であり、電動車のモーター制御システムの効率向上に有望です。研究室では、これら新型半導体デバイスの特性を活かすための実装・制御技術の開発に取り組んでいます。
具体的には、複数のGaNデバイスを並列に接続した大電流パワーモジュールの設計と最適化が主要なテーマです。並列接続時には電流が不均等に分布する課題が生じるため、回路の配置を数値的に最適化することで電流の不均衡を低減する方法を提案しています。また、冷却性能と配線のインダクタンス低減を両立させた回路構造の実現を目指し、プロトタイプの試作と評価を進めています。
さらに、GaNデバイスの性能を引き出すためにはゲート絶縁膜の特性が重要であり、酸化ハフニウムなどの高誘電率材料を用いた絶縁膜の開発も行われています。これらの材料科学的な取り組みと、実際の電力回路システムの設計・制御が相互に補完されることで、次世代の電動車両技術の実現に貢献する研究となっています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(15 件)
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- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejjia.22007958
- DOI: https://doi.org/10.23919/ipec-himeji2022-ecce53331.2022.9806956
- DOI: https://doi.org/10.1116/6.0001334
- DOI: https://doi.org/10.1149/10404.0113ecst
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- DOI: https://doi.org/10.23919/iwjt52818.2021.9609469
- DOI: https://doi.org/10.1109/icit46573.2021.9453618
- DOI: https://doi.org/10.1117/12.2577403
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2021-0230925mtgabs
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