Junichi Motohisa 研究室

主宰者：Junichi Motohisa
北海道大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体ナノワイア（ナノメートル級の細い柱状構造）を用いた次世代の光デバイスと電子デバイスの開発に取り組んでいます。特にリン化インジウム（InP）やヒ化ガリウム（GaAs）など複合半導体材料を対象に、選択領域成長と呼ばれる制御された成長手法を使い、所望の形状・構造を持つナノワイアを製造しています。さらに、同一の材料でありながら異なる結晶構造を形成する「結晶相転移」という現象に着目し、新しい接合構造の創出に取り組んでいます。 光デバイスの開発では、ナノワイアを用いた発光ダイオード（LED）の実現を目指しており、特に従来の方法では効率が低い黄色光領域での高効率発光を実現しようとしています。一方、電子デバイスの開発では、シリコン基板の上に複合半導体ナノワイアを垂直に成長させ、低消費電力で高速動作する次世代トランジスタの実現を進めています。これらのデバイスは、次世代のディスプレイ、フォトニクス、高度な集積回路といった応用を視野に入れた研究です。 加えて、ガリウム窒化物（GaN）ナノワイアの製造プロセスの改善にも取り組んでおり、光化学エッチング技術を用いたトップダウン型の加工法を開発・最適化しています。これらの研究を通じて、ナノスケール材料の成長制御から、実際に機能するデバイスの実証までを一貫して進めています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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