Shin–ichi Nishizawa 研究室
主宰者：Shin–ichi Nishizawa
九州大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、パワー半導体デバイスと単結晶材料の成長・評価に関する研究を展開しています。パワー半導体では、IGBT やMOSFET、GaN-HEMT などの次世代素子について、動作時の信頼性向上と性能最適化に取り組んでいます。特に、電力変換効率の改善と熱応力による故障メカニズムの解明が重要なテーマです。ゲート電圧波形の機械学習解析や応力シミュレーションを用いて、デバイス内部の劣化過程を可視化し、製造プロセス最適化につなげています。
材料面では、シリコンおよび炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）の単結晶成長技術を研究しています。特に、大口径ウェハプロセスにおける熱応力制御と結晶欠陥の抑制が課題であり、数値解析と実験を組み合わせた研究を進めています。また、高品質な結晶を低コストで供給するため、成長炉の設計改善や成長条件の最適化に関する実用的な知見を蓄積しています。これらの取り組みを通じて、エネルギー効率の高い次世代パワーデバイスの実現に貢献しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（67 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0331245
- DOI: https://doi.org/10.1109/tsm.2025.3543133
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2025.3637754
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ae0c53
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.m-8-02
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.m-8-01
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce-europe62795.2025.11238809
- [2025] Effect of Substrate Bias in Ohmic p-Gate GaN-HEMTs on Unclamped Inductive Switching CapabilityDOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3597272
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.pedc.2025.100106
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- DOI: https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11117454
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce-asia63110.2025.11111796
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.pedc.2025.100090
- DOI: https://doi.org/10.1109/tsm.2025.3558328
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad1e00
- DOI: https://doi.org/10.1109/ojpel.2024.3365830
- DOI: https://doi.org/10.1109/access.2024.3427643
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115119
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.ps-4-01
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115068
- [2023] Adjustable Current Limiting Function With a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker DeviceDOI: https://doi.org/10.1109/tia.2023.3288856
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acde27
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd57135.2023.10147411
- DOI: https://doi.org/10.23919/icpe2023-ecceasia54778.2023.10213947
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103031
- DOI: https://doi.org/10.1109/access.2023.3237266
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2022.3187151
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce50734.2022.9948054
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- [2022] Fabrication Aspects and Switching Performance of a Self-Sensing 800 V SiC Circuit Breaker DeviceDOI: https://doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813628
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2022.3200637
- DOI: https://doi.org/10.1109/tsm.2022.3199862
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813643
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126981
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec43599.2022.9773380
- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2021.3075657
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abe801
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abebc1
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.126015
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3079396
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420922
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac40aa
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3129162
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114270
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114237
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.d-2-01
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126236
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